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紫光微
产品型号:TPA65R260M
型号 VDSS(电压) R@JC(热阻)
TPA65R260M
650V 3.9℃/W
Package(封装) ID(电流) RDS(on)(内阻)
TO-220F
15A 0.24-0.26Ω
PD(功率) 包装方式 库存数量
32W - 20K
1、紫光微的COOLMOS是多层外延工艺,目前国内能生产的厂家不多,韩国东部晶圆代工,8寸晶圆产能有保障 ,辐射效果比沟槽工艺的coolmos低3~5DB,同规格型号来看,多层外延工艺的MOS抗 冲击能力强。
2、同电流规格情况下,coolmos比平面MOS的内阻小,损耗低,会大幅度降低MOS的导通损耗。
3、COOL MOS效率高,因为内阻小,产品效率更好,尤其在大功率电源产品上,优势表现的更为突出。
4、温度低,工艺要求比平面MOS更严格,同等功率下COOL MOS晶圆面积比平面 MOS小,有利于电源系统功率密度的提高。
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产品特征 / product features
产品应用 / Applications
封装和内部电路 / Package and Internal Circuit
产品参数 / Product parameters
热阻特性 / Thermal resistance characteristics
电气特性 / Electrical Characteristics

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